Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Default user image.

Martin Magnusson

Ställföreträdande prefekt & studierektor för grundutbildning

Default user image.

Degenerate p-doping of InP nanowires for large area tunnel diodes

Författare

  • Jesper Wallentin
  • Peter Wickert
  • Martin Ek
  • Anders Gustafsson
  • Reine Wallenberg
  • Martin Magnusson
  • Lars Samuelson
  • Knut Deppert
  • Magnus Borgström

Summary, in English

We have investigated p-doping of InP nanowires using diethyl zinc. Two-terminal devices showed non-linear source-drain characteristics and p-type gate dependence. Electron beam induced current measurements were employed to determine minority carrier diffusion lengths. We used large-area tunnel diodes to demonstrate degenerate doping, showing peak current densities of up to 0.11 A/cm(2) and room temperature peak to valley current ratios of 5.3. These results demonstrate that high p- and n-doping, paired with sharp doping profiles, can be achieved in InP nanowires. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3669697]

Avdelning/ar

  • Fasta tillståndets fysik
  • Centrum för analys och syntes
  • NanoLund: Centre for Nanoscience

Publiceringsår

2011

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Applied Physics Letters

Volym

99

Issue

25

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Institute of Physics (AIP)

Ämne

  • Chemical Sciences
  • Condensed Matter Physics
  • Nano Technology

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0003-6951