Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Default user image.

Martin Magnusson

Ställföreträdande prefekt & studierektor för grundutbildning

Default user image.

Heterointerfaces in III-V semiconductor nanowhiskers

Författare

  • Ann Persson
  • Jonas Ohlsson
  • Mikael Björk
  • Claes Thelander
  • Martin Magnusson
  • Knut Deppert
  • T. Sass
  • Reine Wallenberg
  • Lars Samuelson

Summary, in English

We have investigated heterostructures formed within Vapor-Liquid-Solid grown III-V nanowhiskers. The growth conditions that are typical for chemical beam epitaxy facilitate the creation of atomically abrupt interfaces. In this paper we investigate the properties of heterostructure interfaces including switching of either the column-V material (As, P) or the column-III material (In, Ga).

Avdelning/ar

  • Fasta tillståndets fysik
  • Centrum för analys och syntes

Publiceringsår

2002

Språk

Engelska

Sidor

281-283

Publikation/Tidskrift/Serie

Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Nyckelord

  • Semiconductor nanowhiskers

Conference name

14th Indium Phosphide and Related Materials Conference

Conference date

2002-05-12 - 2002-05-16

Conference place

Stockholm, Sweden

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1092-8669
  • CODEN: CPRMEG