Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Default user image.

Martin Magnusson

Ställföreträdande prefekt & studierektor för grundutbildning

Default user image.

Recombination dynamics in aerotaxy-grown Zn-doped GaAs nanowires

Författare

  • Wei Zhang
  • Fangfang Yang
  • Maria E. Messing
  • Kilian Mergenthaler
  • Mats Erik Pistol
  • Knut Deppert
  • Lars Samuelson
  • Martin H. Magnusson
  • Arkady Yartsev

Summary, in English

In this paper we have investigated the dynamics of photo-generated charge carriers in a series of aerotaxy-grown GaAs nanowires (NWs) with different levels of Zn doping. Time-resolved photo-induced luminescence and transient absorption have been employed to investigate radiative (band edge transition) and non-radiative charge recombination processes, respectively. We find that the photo-luminescence (PL) lifetime of intrinsic GaAs NWs is significantly increased after growing an AlGaAs shell over them, indicating that an AlGaAs shell can effectively passivate the surface of aerotaxy-grown GaAs NWs. We observe that PL decay time as well as PL intensity decrease with increasing Zn doping, which can be attributed to thermally activated electron trapping with the trap density increased due to the Zn doping level.

Avdelning/ar

  • Kemisk fysik
  • Fasta tillståndets fysik
  • NanoLund: Centre for Nanoscience

Publiceringsår

2016-10-07

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Nanotechnology

Volym

27

Issue

45

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IOP Publishing

Ämne

  • Nano Technology
  • Condensed Matter Physics

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0957-4484